Halvledare med brett bandgap kiselkarbid

Specifikation

Det breda bandgapet hos SiC möjliggör utveckling av elektroniska enheter med hög spänning och hög effekt. SiC-baserade enheter kan hantera högre elektriska fält och temperaturer utan att drabbas av haveri eller nedbrytning. Denna egenskap gör SiC väl lämpad för applikationer inom kraftelektronik, där effektiv energiomvandling och hög effekthantering krävs.

Wide Bandgap Semiconductor Silicon Carbide.SiC:s breda bandgap bidrar också till lägre inneboende bärarkoncentrationer, vilket minskar känsligheten för termisk excitation och möjliggör enheter med lägre läckströmmar. Detta leder till förbättrad enhetsprestanda, minskade strömförluster och förbättrad effektivitet i olika elektroniska system.

►Zhenan Ferroalloyär beläget i Anyang City, Henan-provinsen, Kina. Den har 20 års produktionserfarenhet. Ferrokisel av hög kvalitet kan produceras enligt användarens krav.

►Zhenan Ferroalloyhar sina egna metallurgiska experter, ferrokisel kemisk sammansättning, partikelstorlek och förpackning kan anpassas efter kundens krav.

►Förmågan hos ferrokisel är60000 ton per år, stabil leverans och snabb leverans.

►Strikt kvalitetskontroll, acceptera tredjepartsinspektionenSGS, BV,etc.

►Att ha oberoende import- och exportkvalifikationer.

Vi strävar efter att överträffa förväntningarna och se till att våra återförsäljare och slutanvändare förblir konkurrenskraftiga.

Vi kommer aldrig att sluta förbättra kvaliteten och servicen på våra produkter.

FAQ