Silikon kol

Specifikation

SiC Market Summary Den 8 september 2023

Jämfört med traditionella kiselhalvledare (Si) har SiC-halvledare ett bandgap som är tre gånger så stort som kisel och ett nedbrytningsfält som är åtta gånger så stort som kisel. Detta gör att SiC-halvledare tål högre temperaturer, starkare elektriska fält och starkare strålningsmiljö. Dessutom har SiC-halvledare också hög bärarrörlighet och utmärkt motståndskraft mot kemisk korrosion, vilket gör dem till lovande kandidater för användning i miljöer med hög temperatur, högt tryck, hög frekvens och hög strålning.

Tillämpningarna av SiC-halvledare inom det elektroniska området inkluderar huvudsakligen kraftenheter, sensorer, radiofrekvensenheter och logiska enheter. Inom kraftområdet används SiC-halvledare huvudsakligen i högspännings-, högtemperatur- och högeffektselektronisk utrustning, såsom växelriktare, motordrivningar, solväxelriktare, strömförsörjning etc. Inom energiområdet är SiC-halvledare används främst för omvandling och lagring av förnybar energi som vind- och solenergi, samt laddning och körning av elfordon.

Tillverkningsprocessen av SiC-halvledare inkluderar huvudsakligen steg som tillväxt, skivning, polering, metallisering och förpackning. Bland dem är tillväxt ett nyckelsteg i tillverkningen av SiC-halvledare, vilket kräver användning av högtemperatur-, högtrycks-, högrena råmaterial och komplex tillväxtutrustning.

Även om SiC-halvledare har många fördelar, finns det också vissa utmaningar vid tillverkning och tillämpning, såsom höga tillverkningskostnader, ytpassivering, metallföroreningar och termisk stabilitet. I framtiden, med den ständiga utvecklingen av teknik, kommer SiC-halvledare att användas och marknadsföras mer.

FAQ