Kiselkarbid SiC 1-5mm

Kiselkarbid (SiC) är en syntetisk förening som består av kisel och kol. Det är ett mycket hållbart och hårt material med utmärkt värmeledningsförmåga, hög smältpunkt och hög elektrisk ledningsförmåga. SiC produceras genom en kombination av hög temperatur och tryck. Den vanligaste metoden för att producera SiC är Acheson-processen, som innefattar följande steg:

Råmaterialberedning: Råvarorna för framställning av SiC är kiseldioxidsand och petroleumkoks. Dessa material är noggrant utvalda och blandade i önskade proportioner. Andra material såsom sågspån eller salt kan också tillsättas för att förbättra den slutliga produktens porositet.

Ugnsladdning: Råvarorna laddas i en elektrisk motståndsugn fodrad med koltegel. Ugnen värms upp till en temperatur på cirka 2200 grader, vilket gör att kolet i koksen reagerar med kiseldioxiden och bildar SiC.

SiC-bildning: När temperaturen i ugnen ökar, blir reaktionen mellan kolet och kiseldioxiden kraftigare och SiC-kristaller börjar bildas. SiC-kristallerna växer allteftersom reaktionen fortskrider, och så småningom bildas en fast SiC-massa.

Krossning och siktning: Den fasta SiC-massan krossas och siktas till önskad storlek. Storleken på SiC-kornen kan variera beroende på den avsedda användningen.

Kemisk behandling: SiC-kornen kan genomgå kemisk behandling för att avlägsna föroreningar som kan påverka deras kvalitet. Behandlingen kan involvera användning av syra, alkali eller andra kemikalier.

Förpackning och förvaring: Den slutliga SiC-produkten förpackas sedan i lämpliga behållare och förvaras i ett torrt, välventilerat utrymme tills den är klar för transport.